三星第七代V NAND闪存最高可达176层

根据韩媒报道,三星在下一代闪存芯片的开发中取得重大进展,第七代V NAND闪存芯片将达到176层,并将于明年4月实现量产。这将是业界首个高于160层的高级别的NAND闪存芯片,三星将因此再次拉开与竞争对手的技术差距,维持自2002年以来一直在全球NAND闪存市场中排名第一的地位。

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