三星拟 160 层以上的3D QLC闪存颗粒技术研究

三星目前正在研发 160 层及以上的 3D 闪存,将成为第七代 V-NAND 闪存的基础。目前 160 层 + 的 3D 闪存还没有详细的技术信息,韩媒报道称三星可能会大幅改进制造工艺,从现在的单堆栈( single-stack )升级到双堆栈( double-stack ),以便制造更高层数的 3D 闪存。

考虑到三星在 NAND 闪存行业占据了超过 1/3 的份额,实力是最强的,不出意外 160+ 层堆栈的闪存应该也会是他们首发,继续保持闪存技术上的优势,拉开与对手的差距。

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