长江存储成功研发128层QLC闪存

4月13日,长江存储宣布,该公司跳过96层,成功研发128层QLC3D NAND闪存(型号:X2-6070),并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。

长江存储一期生产线月产能10万片,今年以来产能一直在爬坡。对于量产时间,长江存储向观察者网透露,配合前述产能,128层NAND闪存将于今年年底到明年上半年陆续量产。

去年9月,长江存储已开始量产基于Xtacking架构的中国首款64层3D NAND闪存。对此,该公司指出,作为业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存,X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度,最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。

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