三星推出第六代V-NAND存储器,相比于上代闪存更快功耗更低

三星的第六代V-NAND可提供高达136层以及charge trap flash(CTF)。新内存使用一个堆栈,并且不使用字符串堆叠等技术来构建超过100个层。为了确保最小的错误和低延迟,三星不得不使用新的速度优化电路设计。后者使新的3D TLC 256千兆芯片提供低于450微秒(μS)延迟用于写操作和低于45微秒用于读操作,相比于5时,这是10%的速度次上代V-NAND。同时,最新的V-NAND功耗也低于其前代产品。

原文连接

0 条回复 A文章作者 M管理员
    暂无讨论,说说你的看法吧
个人中心
购物车
优惠劵
今日签到
有新私信 私信列表
搜索