GlobalFoundries和Everspin将MRAM协议扩展到12nm

GlobalFoundries和Everspin宣布,两家公司已将其自旋传递扭矩(STT-MRAM)联合开发协议(JDA)扩展至12LP(12 nm FinFET)平台。该扩展将使GlobalFoundries能够使用其12nm工艺生产分立的MRAM芯片,并将MRAM嵌入为其12LP制造技术而设计的芯片中,该技术已被广泛应用。

两家公司的合作历史悠久,可以追溯到40 nm批量制造工艺,并扩展到28 nm HKMG以及22 nm FD-SOI(22FDX)。如今,使用GloFo技术制造的芯片可以具有嵌入式MRAM(eMRAM),而Everspin的256 Mb和1 Gb独立MRAM器件也可以使用40 nm和28 nm批量节点来制造。将STT-MRAM缩小至12 nm将使两者能够降低1 Gb芯片的成本,并以经济高效的方式生产更高容量的设备。

尽管现有的MRAM芯片无法提供巨大的容量,但由于其利基用途而非常受欢迎。Everspin说,它已经向超过1000个客户交付了1.25亿个离散MRAM芯片。此外,根据该公司引用的一份报告,到2029年,分立MRAM的销售额将达到40亿美元。同时,由于对容量更大的独立MRAM的需求不断扩大,将需要更先进的工艺技术来制造分立MRAM组件。

在GlobalFoundries的12LP平台(其中包括12LP和12LP +技术)中增加了eMRAM,极大地提高了节点的竞争地位,尤其是对于将在未来几年发布的控制器/微控制器应用程序。例如,phison和Sage即将推出的一些企业级SSD控制器将使用Everspin的eMRAM,而这两家公司将不会单独使用这种类型的嵌入式非易失性存储器。

eMRAM有望取代使用先进制造技术生产的设备中的嵌入式闪存(eFlash),因为使用薄制造工艺制造的NAND存在许多问题,例如耐久性和性能。MRAM可以使用现代节点构建,并且由于不使用电荷或电流,但仍具有良好的性能和耐用性,但具有磁性存储元件,并依赖于感测由薄壁垒隔开的两个铁磁膜的磁各向异性(方向)。eMRAM有其局限性,但在出现其他技术之前,它将在未来几年中用于众多设备。

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