DDR4和DDR3内存有什么差异？带你看内存升级的转变

DDR3内存自从2007年服役以来，至今已经走过了9个年头， DDR4内存尺度规范在2012年9月尾正式宣布，在2014年Intel的Haswell-E处置器及X99平台，率先为桌面平台带来了原生DDR4内存支持，2015年的Intel Skylake平台主要支持DDR4，DDR4的普及已成趋势。

skylake平台

DDR4和DDR3内存有什么差异？现在DDR4最先放肆进入我们的视野，相比于DDR3， DDR4在外观、性能、功耗几个部门有显著的转变。

1、DDR4内存条外观转变显著，金手指酿成弯曲状，防呆口更为靠近中央。

2、DDR4内存频率提升显著，可达4266MHz。

3、DDR4功耗显著降低，电压到达1.2V、甚至更低。

4、DDR4内存容量提升显著，可达128GB。

外观转变：

一直一来，内存的金手指都是直线型的，而DDR4将内存下部设计为中央稍突出、边缘收矮的形状，在中央的高点和两头的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面，确保信号传输稳固，同时中央凸起的部门和内存插槽发生足够的摩擦力稳固内存，也可以解决DDR3内存难以拔出和难以插入的情形。

另外，金手指中央的“缺口”也就是防呆口的位置相比DDR3更为靠近中央。在金手指触点数目方面，通俗DDR4内存有284个，而DDR3则是240个，每一个触点的间距从1mm缩减到0.85mm。

频率和带宽提升伟大

DDR4最主要的转变固然是提高频率和带宽。在DDR3时代传输速率最高到2133MHz不等；而DDR4的传输速率从2133MHz起，而且可以到达4266MHz。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866凌驾了跨越70％。

更低功耗更低电压

DDR4内存接纳了温度抵偿自刷新（主要用于降低存储芯片在自刷新时消耗的功率)、数据总线倒置（用于降低VDDQ电流，降低切换操作）等新手艺。这些手艺能够降低DDR4内存在使用中的功耗。现在DDR4使用20nm以下的工艺来制造，电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V。而随着工艺提高、电压降低以及团结使用多种功耗控制手艺的情形下，DDR4的功耗显示将是异常精彩的。

容量剧增最高可达128GB

3DS（3-Dimensional Stack，三维堆叠）手艺是DDR4内存中最要害的手艺之一，它用来增大单颗芯片的容量。在使用了3DS堆叠封装手艺后，单条内存的容量最大可以到达DDR3产物的8倍之多。举例来说，现在常见的大容量内存单条容量为8GB（单颗芯片512MB，共16颗），而DDR4则完全可以到达64GB，甚至128GB。

DDR4相比DDR3提升了频率和带宽等一系列硬件参数，在提升性能的同时降低了能耗，为移动装备提供了更好的支持，在intel新的平台的支持和推动下，DDR4的应用场景也变得加倍广漠。现在阻止DDR4普及的也就只剩下价钱方面了，但随着时间的推移DDR4早晚也会像DDR3一样来到列位用户的身边。

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